デバイス開発 例文①(前職実績型)
前職では半導体メーカーのデバイス開発部門にてパワーデバイス(SiC)の素子設計・特性評価・信頼性試験を5年間担当し、耐圧○○V・オン抵抗○○mΩ・cm²の新規デバイスの量産移行に貢献しました。プロセス統計管理とデバイスシミュレーション(TCAD)の経験があり、設計・プロセスの両面から開発を進める力があります。貴社の次世代パワーデバイス開発に貢献したいと考えています。
転職でデバイス開発(半導体・液晶・LEDなど)に応募する際の志望動機例文です。 そのままコピーせず、あなた自身のエピソードに置き換えてカスタマイズしてください。
前職では半導体メーカーのデバイス開発部門にてパワーデバイス(SiC)の素子設計・特性評価・信頼性試験を5年間担当し、耐圧○○V・オン抵抗○○mΩ・cm²の新規デバイスの量産移行に貢献しました。プロセス統計管理とデバイスシミュレーション(TCAD)の経験があり、設計・プロセスの両面から開発を進める力があります。貴社の次世代パワーデバイス開発に貢献したいと考えています。
大学院では光デバイス(有機EL)の製膜プロセスと光学特性評価を研究し、博士号を取得しました。学術研究で培ったデバイス物理の理解と薄膜プロセスの知識を活かし、民間企業でより実用化に近い製品開発に携わりたいと考えています。半導体・ディスプレイ分野の技術で社会に直接貢献できる環境として、貴社のデバイス開発部門を志望しました。
デバイスプロセスエンジニアとして半導体製造の成膜・リソグラフィ・エッチング工程の管理を4年間担当してきましたが、プロセスだけでなくデバイス設計・素子物理の理解を深め、開発の上流から関与できるデバイスエンジニアを目指しています。TCDDによるデバイスシミュレーションの独学を進めており、設計・プロセス・評価を一貫して担える技術者に成長したいと考えています。貴社の開発部門でキャリアアップを図りたいと思っています。
※ 上記は例文です。具体的な情報はご自身の経験に書き換えてください。
デバイス開発は、パワー半導体、イメージセンサー、LED、ディスプレイなど対象によって物理も評価方法も違い、素子構造の設計、試作条件の検討、特性評価のどこを担うかでも仕事が変わります。「SiC MOSFETのセル構造の設計とTCADでの耐圧検討を主担当、試作はプロセス部門と分担」のように範囲を書いてください。
デバイス開発では、耐圧とオン抵抗、輝度と寿命のように、一方を良くすると他方が悪くなる関係の中で最適点を探すことが仕事の中心です。「耐圧を維持したままオン抵抗を従来比15%低減」のように、どの特性を守りながら何を改善したかを書くと、設計の勘所を押さえた技術者であることが伝わります。
試作で良い特性が出ても、信頼性試験を通り、量産でのばらつきを抑えられなければ製品にはなりません。高温・高湿の環境で電圧をかけ続ける試験や故障解析の経験、量産工場への条件の移管で担った役割を書くと、研究で終わらず製品まで届けられる技術者だと判断されます。
半導体やディスプレイの業界への関心は、応募者の誰もが口にする理由です。デバイスの種類と担当したい工程が書かれていないと、プロセスや回路設計の職種との違いを理解しているのかも分からず、志望度を測れません。
「電動車の普及で需要が伸びるパワーデバイスのうち、貴社が注力するGaNデバイスの素子設計に携わりたいと考えています。前職のSi IGBTの耐圧設計の経験を活かせると考えました。」
民間企業のデバイス開発では、特性の良さに加えて、歩留まり、コスト、顧客の仕様への適合が問われます。研究としての新しさだけを強調すると、製品化の制約の中で成果を出せるかに不安を持たれます。
「大学院で窒化物半導体の結晶成長を研究するなかで、同じ特性を再現よく出す難しさを経験しました。量産を見据え、ばらつきまで設計に織り込むデバイス開発に携わりたいと考えています。」
TCADなどのシミュレーションは、試作の実測結果と突き合わせて初めて設計に使えます。計算の経験だけを書くと、実際のデバイスで特性がずれたときに原因を読み解けるのかが分からず、机上の経験と受け取られかねません。
「TCADで予測した耐圧と試作品の実測値のずれを、不純物分布の測定結果と照らして原因を特定し、計算モデルを補正して次の試作の精度を高めました。」
デバイス開発は、半導体素子やLED、ディスプレイなどの電子デバイスについて、構造の設計、試作、特性の評価を繰り返し、目標の性能と信頼性を満たすところまで仕上げる仕事です。転職者には、素子構造や材料の検討、デバイスシミュレーション、電気的・光学的な特性の評価、信頼性試験、量産部門への条件の移管を受け持つ即戦力が求められます。顧客への技術説明を任されることもあります。